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GB/T 39145-2020
硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry

GBT39145-2020, GB39145-2020


標(biāo)準(zhǔn)核心內(nèi)容解析

GB/T39145-2020規(guī)定了使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)測定硅片表面痕量金屬的標(biāo)準(zhǔn)化方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于108-1012 atoms/cm2含量范圍的12種關(guān)鍵金屬元素檢測。

關(guān)鍵技術(shù)對比

方法維度 直接酸滴分解法(DADD) 氣相分解法(VPD)
檢測限 109 atoms/cm2 108 atoms/cm2
適用場景 常規(guī)檢測 超痕量分析
自動化程度 可全自動操作 需專用處理盒

關(guān)鍵干擾因素控制

標(biāo)準(zhǔn)特別強調(diào)5類核心干擾源的控制:

  1. 人員操作:要求檢測員通過痕量分析專項培訓(xùn)
  2. 環(huán)境潔凈度:制樣區(qū)需達到ISO4級標(biāo)準(zhǔn)
  3. 試劑純度:超純水電阻率>18MΩ·cm
  4. 儀器狀態(tài):定期按JJF1159校準(zhǔn)ICP-MS
  5. 記憶效應(yīng):禁止檢測高污染樣品

實施建議

基于標(biāo)準(zhǔn)實施經(jīng)驗提出:

  • 建立雙標(biāo)準(zhǔn)溶液驗證機制,定期核對校準(zhǔn)曲線
  • 對Cr/Fe等易干擾元素采用碰撞反應(yīng)池技術(shù)
  • VPD法建議搭配全自動制樣機使用
  • 每批次測試需包含75%-125%回收率驗證

技術(shù)演進分析

相較早期方法,本標(biāo)準(zhǔn)主要突破:

  • 明確DADD與VPD的適用場景區(qū)分
  • 引入自動化制樣設(shè)備規(guī)范
  • 新增Zn等新興污染元素的檢測要求
  • 建立基于ISO潔凈度等級的環(huán)境控制體系

 

請注意,本內(nèi)容不等同于標(biāo)準(zhǔn)原文,內(nèi)容僅供參考,本站不保證內(nèi)容的正確性。準(zhǔn)確、完整的信息請參閱正式版文本。

 

 

GB/T 39145-2020

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標(biāo)準(zhǔn)號
GB/T 39145-2020
別名
GBT39145-2020
GB39145-2020
發(fā)布
2020年
總頁數(shù)
8頁
發(fā)布單位
國家質(zhì)檢總局
當(dāng)前最新
GB/T 39145-2020
 
 
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 14264 GB/T 17433 GB/T 19921 GB/T 25915.1 GB/T 37837 GB/T 6624 JJF 1159

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定硅片表面金屬元素含量的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單唱拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉、鎂、鋁.鉀、鈣.鉻.錳.鐵、鉆、錦、銅、鋅元素含量的測定,測定范圍為 10 cm 一10 cm“。本標(biāo)準(zhǔn)同時也適用于硅退火片、硅擴散片等無圖形 硅片表面痕量金屬元素含量的測定。 注: 硅片表面的金屬元素含量以每平方厘米的原子數(shù)計。

術(shù)語 
掃描溶液 Scanning Solution
直接酸滴分解法 Direct Acid Droplet Decomposition (DADD)
氣相分解法 Vapor Phase Decomposition (VPD)
背景噪聲 Background Noise

GB/T 39145-2020 中提到的儀器設(shè)備

ICP-MS
電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 (ICP-MS)
用于檢測硅片表面金屬雜質(zhì)含量的關(guān)鍵設(shè)備
微移液器 用于精確轉(zhuǎn)移液體的微量操作工具

其他標(biāo)準(zhǔn)


專題


GB/T 39145-2020相似標(biāo)準(zhǔn)


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誰引用了GB/T 39145-2020 更多引用





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